SiC ダイオードを搭載したCockcroft-Walton 回路における昇圧比向上および力率改善

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45666

グループ名: 【D】平成28年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2016/08/30

タイトル(英語): Boost Ratio and Power Factor Improvement in Cockcroft-Walton Circuit with SiC Diode

著者名: 南 政孝(神戸市立工業高等専門学校),安田 匠(神戸市立工業高等専門学校),茂木 進一(神戸市立工業高等専門学校),道平 雅一(神戸市立工業高等専門学校)

著者名(英語): Masataka Minami|Takumi Yasuda|Shin-ichi Motegi|Masakazu Michihira

キーワード: Cockcroft-Walton 回路|SiC ダイオード|昇圧比|力率, Cockcroft-Walton circuit|SiC diode|boost ratio|power factor

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