表面ポテンシャルモデルを用いたSiCパワーMOSFETの過渡解析および昇圧回路への応用

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45667

グループ名: 【D】平成28年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2016/08/30

タイトル(英語): Analysis of Transient Behavior of SiC Power MOSFETs Based on Surface Potential Model and Its Application to Boost Converter

著者名: 奥田 貴史(京都大学),中村 洋平(京都大学),新谷 道広(京都大学),佐藤 高史(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Takafumi Okuda|Yohei Nakamura|Michihiro Shintani|Takashi Sato|Takashi Hikihara

キーワード: SiC MOSFET|表面ポテンシャルモデル|ブーストコンバータ, SiC MOSFET|Surface potential model|Boost converter

PDFファイルサイズ: 1,927 Kバイト