1
/
の
1
厚銅多層基板を用いたSiC-MOSFETインバータの開発
厚銅多層基板を用いたSiC-MOSFETインバータの開発
通常価格
¥440 JPY
通常価格
セール価格
¥440 JPY
単価
/
あたり
税込
カテゴリ: 部門大会
論文No: 45669
グループ名: 【D】平成28年電気学会産業応用部門大会講演論文集
発行日: 2016/08/30
タイトル(英語): Development of an SiC-MOSFET Inverter Using Multilayer Printed Circuit Boards with Thick Copper Layers
著者名: 石川 光亮(北海道大学),小笠原 悟司(北海道大学),竹本 真紹(北海道大学),折川 幸司(北海道大学)
著者名(英語): Kohsuke Ishikawa|Satoshi Ogasawara|Masatsugu Takemoto|Koji Orikawa
キーワード: インバータ|SiC-MOSFET|多層プリント基板, inverter|SiC-MOSFET|multilayer printed circuit board
PDFファイルサイズ: 751 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
