ゲートドライブモデルを考慮したSiC-MOSFETターンオン動作のシミュレーション検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45670

グループ名: 【D】平成28年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2016/08/30

タイトル(英語): A Simulation Study of turn-on behavior of an SiC-MOSFET including a gate drive circuit model

著者名: 中村 悠太(東京工業大学),葛本 昌樹(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),椋木 康滋(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),中山 靖(三菱電機)

著者名(英語): Yuta Nakamura|Masaki Kuzumoto|Hirofumi Akagi|Yasusige Mukunoki|Takeshi Horiguchi|Yasushi Nakayama

キーワード: SiC-MOSFETモデル|シミュレーション|ゲートドライブ, SiC-MOSFET model|Simulation|Gate Drive

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