SiC-MOSFETのゲート・ドレイン間容量と直列接続時の電圧分担の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45671

グループ名: 【D】平成28年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2016/08/30

タイトル(英語): Relationship Between Parasitic Capacitance and Voltage Sharing under Series Connection of SiC -MOSFET

著者名: 神宮 克哉(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Katsuya Shingu|Keiji Wada

キーワード: SiC-MOSFET|直列接続|スイッチング解析, SiC-MOSFET|Series connection|Switching analysis

PDFファイルサイズ: 317 Kバイト