GaN-FETの連鎖的誤動作を抑制するためのソース端子のインダクタンスを考慮した配線インダクタンス設計指針

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-35

グループ名: 【D】平成28年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2016/08/30

タイトル(英語): A Design Guideline of Parasitic Inductance Including the Source Terminal Inductance for Preventing Oscillatory False Triggering of GaN-FETs

著者名: 松本 隆之介(岡山大学),梅谷 和弘(岡山大学),平木 英治(岡山大学)

著者名(英語): Ryunosuke Matsumoto|Kazuhiro Umetani|Eiji Hiraki

キーワード: GaN-FET|配線インダクタンス|誤動作|発振, GaN-FET|parasitic inductance|false triggering|oscillation

PDFファイルサイズ: 975 Kバイト