シミュレーションと実験によるSiデバイスとGaNデバイスの損失比較

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-130

グループ名: 【D】平成29年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2017/08/29

タイトル(英語): Simulations and experiments for comparisons of power loss between Si device and GaN device

著者名: 高木 茂行(東京工科大学),新海 健(東京工科大学),長浜 竜(岩崎通信機)

著者名(英語): Shigeyuki Takagi|Takashi shinnkai|Ryu Nagahama

キーワード: 排熱発電|GaNパワーデバイス|回路シミュレーション|電力損失, Waste Heat Power Generation|GaN power device|DC-DC converter|Power loss

PDFファイルサイズ: 1,088 Kバイト