温度感知ダイオードを用いたSiC MOSFETのジャンクション温度推定に関する一検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-131

グループ名: 【D】平成29年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2017/08/29

タイトル(英語): A Study on Temperature Sensitive Diode on SiC MOSFETs for the Estimation of Junction Temperature

著者名: 福永 崇平(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Shuhei Fukunaga|Tsuyoshi Funaki

キーワード: SiC MOSFET|温度感知ダイオード|ゲート閾値電圧, SiC MOSFET|Temperature sensitive diode|Threshold gate voltage

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