GaAs パワートランジスタのスイッチング特性評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-132

グループ名: 【D】平成29年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2017/08/29

タイトル(英語): GaAs (gallium arsenide) power switching devices will suit for low-voltage, high-frequency switching, and ultra-compact power applications. This report presents the measured static and switching characteristics of a prototype GaAs JPHEMT (Junction Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor).

著者名: 井渕 貴章(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Takaaki Ibuchi|Tsuyoshi Funaki

キーワード: GaAsパワートランジスタ|静特性|C-V特性|スイッチング特性, gallium arsenide power transistor|static characteristics|C-V characteristics|switching characteristics

PDFファイルサイズ: 704 Kバイト