熱不平衡時におけるSiC-MOSFET並列駆動のスイッチング動作解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-134

グループ名: 【D】平成29年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2017/08/29

タイトル(英語): A Simulation Study of Switching Behavior of Parallel-Connected SiC-MOSFETs Under Thermally Unbalanced Conditions

著者名: 昆野 賢太郎(東京工業大学),葛本 昌樹(東京工業大学),萩原 誠(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),椋木 康滋(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),中山 靖(三菱電機)

著者名(英語): Kentaro Konno|Masaki Kuzumoto|Makoto Hagiwara|Hirofumi Akagi|Yasushige Mukunoki|Takeshi Horiguchi|Yasushi Nakayama

キーワード: SiC-MOSFETモデル|シミュレーション|温度特性|並列駆動, SiC-MOSFET model|Simulation|Temperature characteristic|Parallel-connected SiC-MOSFETs

PDFファイルサイズ: 451 Kバイト