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SiC-MOSFETのデッドタイムレス制御―同期整流方式に関する基礎検討1―

SiC-MOSFETのデッドタイムレス制御―同期整流方式に関する基礎検討1―

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-135

グループ名: 【D】平成29年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2017/08/29

タイトル(英語): Dead Timeless Control of SiC-MOSFETs

著者名: 二瓶 颯斗(茨城工業高等専門学校),長洲 正浩(茨城工業高等専門学校),秋山 悟(日立製作所),石川 勝美(日立製作所)

著者名(英語): Hayato Nihei|Masahiro Nagasu|Satoru Akiyama|Katsumi Ishikawa

キーワード: SiC-MOSFET|デッドタイム|同期整流, SiC-MOSFET|Dead time|Synchronous rectification

PDFファイルサイズ: 1,069 Kバイト

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