ゲート負バイアスを用いないSiC-MOSFETの誤点弧抑制手段の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-136

グループ名: 【D】平成29年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2017/08/29

タイトル(英語): A Study of preventing self turn-on phenomenon of SiC-MOSFET without negative gate bias

著者名: 井上 剛志(デンソー),今澤 孝則(デンソー),山口 晃弘(デンソー),笹谷 卓也(デンソー)

著者名(英語): Takeshi Inoue|Takanori Imazawa|Akihiro Yamaguchi|Takanari Sasaya

キーワード: SiC-MOSFET|セルフターンオン|ゲートループインダクタンス|ボディーダイオード, SiC-MOSFET|Self Turn-on|Gate Loop Inductance|Body Diode

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