電圧印加状態でのパワー半導体デバイス断面構造のナノスケール評価のための一検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-68

グループ名: 【D】平成29年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2017/08/29

タイトル(英語): A Study for nanoscale investigation under cross sectional view of power semiconductor device with applied bias voltage

著者名: 中島 瑞貴(千葉工業大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学),山本 秀和(千葉工業大学)

著者名(英語): Mizuki Nakajima|Nobuo Satoh|Hidekazu Yamamoto

キーワード: 走査型プローブ顕微鏡|原子間力顕微鏡|パワー半導体デバイス|ナノスケール|Scanning Probe Microscope|Atomic Force Microscope|power semiconductor device|nanoscale

PDFファイルサイズ: 539 Kバイト