SiC-MOSFET デバイスモデルの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45839

グループ名: 【D】平成30年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2018/08/28

タイトル(英語): Development of a Compact Circuit Model for a Silicon-Carbide MOSFET

著者名: 椋木 康滋(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),葛本 昌樹(東京工業大学),萩原 誠(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学)

著者名(英語): Yasushige Mukunoki|Takeshi Horiguchi|Masaki Kuzumoto|Makoto Hagiwara|Hirofumi Akagi

キーワード: SiC-MOSFET|デバイスモデル, SiC-MOSFET|compact circuit model

PDFファイルサイズ: 329 Kバイト