繰り返しUIS試験におけるSiCスイッチング素子の劣化評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45664

グループ名: 【D】平成30年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2018/08/28

タイトル(英語): Degradation at Repetitive UIS test for SiC power devices

著者名: 相良 光彦(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京),西澤 伸一(九州大学)

著者名(英語): Mitsuhiko Sagara|Keiji Wada|Shin-ichi Nishizawa

キーワード: 繰り返しUIS試験|パワーデバイス劣化|SiC-MOSFET|SiC-JFET, Repetitive Unclamped Inductive Switching test|Characteristic change of power device|SiC-MOSFET|SiC-JFET

PDFファイルサイズ: 425 Kバイト