Niメッキ接合を用いたSiCパワーモジュールのスイッチング損失評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45666

グループ名: 【D】平成30年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2018/08/28

タイトル(英語): Evaluation of Switching Loss of SiC Power Module using Ni Micro Plating Bonding

著者名: 糸瀬 智也(九州工業大学),川越 彬央(九州工業大学),今給黎 明大(九州工業大学),小迫 雅裕(九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学),巽 宏平(早稲田大学),飯塚 智弘(早稲田大学),佐藤 信明(三井ハイテック),清水 孝司(三井ハイテック),上田 和敏(三井ハイテック)

著者名(英語): Tomoya Itose|Akihiro Kawagoe|Akihiro Imakiire|Masahiro Kozako|Masayuki Hikita|Kohei Tatsumi|Tomonori Iizuka|Nobuaki Sato|Koji Shimizu|Kazutoshi Ueda

キーワード: Niメッキ接合|高温はんだ接合|SiCパワーモジュール|スイッチング損失, Ni micro plating bonding|High temperature solder|Silicon Carbide power module|Switching loss

PDFファイルサイズ: 908 Kバイト