ゲート-ソース間電圧とゲート電荷を用いたSiC MOSFETの短絡保護回路開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-39

グループ名: 【D】平成30年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2018/08/28

タイトル(英語): Development of Protection Circuit for Hard Switching Fault of SiC MOSFET by Using Gate-to-Source Voltage and Gate Charge

著者名: 矢野 新也(三菱電機),中松 佑介(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),曽田 真之介(三菱電機)

著者名(英語): Shinya Yano|Yusuke Nakamatsu|Takeshi Horiguchi|Shinnosuke Soda

キーワード: SiC MOSFET|短絡保護, SiC MOSFET|Hard Switching Fault

PDFファイルサイズ: 592 Kバイト