dV/dtストレスによるSiC-MOSFETのゲート誤点弧の温度依存性

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-41

グループ名: 【D】平成30年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2018/08/28

タイトル(英語): Temperature Dependence of Gate Voltage to suppress the self turn-on of SiC-MOSFET induced by dV/dt stress.

著者名: 中田 修平(金沢工業大学),田中 祥太(金沢工業大学),北川 竣也(金沢工業大学),沖崎 瑞希(金沢工業大学)

著者名(英語): Shuhei Nakata|Shota Tanaka|Shunya Kitagawa|Mizuki Okizaki

キーワード: SiC-MOSFET|dV/dtストレス|ゲート誤点弧|温度依存性, SiC-MOSFET|dV/dt stress|self turn-on|temperature dependence

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