GaN HEMT誤点弧現象の解析及び設計法に関する研究

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-42

グループ名: 【D】平成30年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2018/08/28

タイトル(英語): Study on analysis and design method of the GaN HEMT false turn on phenomenon.

著者名: 岩城 聡明(名古屋大学),澤田 高志(名古屋大学),石脇 誠也(島根大学),山本 真義(名古屋大学)

著者名(英語): Toshihiro Iwaki|Takashi Sawada|Seiya Ishiwaki|Masayoshi Yamamoto

キーワード: GaN HEMT|誤点弧|高周波スイッチング|同期整流回路, GaN HEMT|False turn on|High frequency switching|Synchronous rectification circuit

PDFファイルサイズ: 772 Kバイト