SiC-MOSFETのデッドタイムレス制御―同期整流方式に関する基礎検討3―

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-5

グループ名: 【D】平成30年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2018/08/28

タイトル(英語): Dead Timeless Control of SiC-MOSFETs

著者名: 二瓶 颯斗(茨城工業高等専門学校),長洲 正浩(茨城工業高等専門学校),秋山 悟(日立製作所),石川 勝美(日立製作所)

著者名(英語): Hayato Nihei|Masahiro Nagasu|Satoru Akiyama|Katsumi Ishikawa

キーワード: SiC-MOSFET|同期整流|デッドタイム, SiC-MOSFET|Synchronous rectification|Dead time

PDFファイルサイズ: 633 Kバイト