走査型プローブ顕微鏡によるSiC パワーMOSFETの構造観察とその解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-53

グループ名: 【D】平成30年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2018/08/28

タイトル(英語): Nanoscale investigation of the silicon carbide power MOSFET by scanning probe microscope

著者名: 中島 瑞貴(千葉工業大学),土井 敦史(千葉工業大学),内田 悠貴(千葉工業大学),小嶋 正宏(千葉工業大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学),小田 昭紀(千葉工業大学),山本 秀和(千葉工業大学)

著者名(英語): Mizuki Nakajima|Atsushi Doi|Yuuki Uchida|Masahiro Kojima|Nobuo Satoh|Akinori Oda|Hidekazu Yamamoto

キーワード: 走査型プローブ顕微鏡|SiCパワーMOSFET|走査型容量原子間力顕微鏡|原子間力顕微鏡, scanning probe microscope|silicon carbide powe MOSFET|Scanning Capacitance Force Microscope|Atomic Force Microscope

PDFファイルサイズ: 1,261 Kバイト