走査型プローブ顕微鏡によるSiパワー半導体デバイス断面構造のナノスケール観測

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-55

グループ名: 【D】平成30年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2018/08/28

タイトル(英語): Nanoscale observation for Si power-MOSFET by scanning probe microscope

著者名: 土井 敦史(千葉工業大学),中島 瑞貴(千葉工業大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学),山本 秀和(千葉工業大学)

著者名(英語): Atsushi Doi|Mizuki Nakajima|Nobuo Satoh|Hidekazu Yamamoto

キーワード: パワーMOSFET|原子間力顕微鏡法|走査型容量原子間力顕微鏡法, Power MOSFET|Atomic Force Microscopy|Scanning capacitance force Microscopy

PDFファイルサイズ: 1,327 Kバイト