n 型MOSFET ダイオードクランプリニアアンプの広帯域化のためのゲート駆動回路

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-56

グループ名: 【D】平成30年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2018/08/28

タイトル(英語): Gate Drivers for Wideband N-channel-MOSFETs-based DCLA

著者名: 青栁 俊英(長岡技術科学大学),横倉 勇希(長岡技術科学大学),大石 潔(長岡技術科学大学)

著者名(英語): Shunei Aoyagi|Yuki Yokokura|Kiyoshi Ohishi

キーワード: 線形増幅回路|EMI|ダイオードクランプリニアアンプ|広帯域, Linear Amplifier|EMI|Diode-clamping circuit|wideband

PDFファイルサイズ: 389 Kバイト