ノーマリオン型GaAsパワートランジスタに適用するゲート駆動回路に関する一検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-88

グループ名: 【D】平成30年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2018/08/28

タイトル(英語): A Study on Gate Drive Circuit for Normally-on GaAs Power Transistor

著者名: 井渕 貴章(大阪大学),前川 武尊(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Takaaki Ibuchi|Takeru Maegawa|Tsuyoshi Funaki

キーワード: 高周波スイッチング|GaAsパワートランジスタ|ノーマリオン|ゲート駆動, High Frequency Switching|GaAs Power Transistor|Normally-on|Gate Drive

PDFファイルサイズ: 940 Kバイト