Si-IGBTおよびGaN-FETインバータ励磁下のIPMSMのコア損特性の一検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-124

グループ名: 【D】平成30年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2018/08/28

タイトル(英語): A study on core loss characteristics of IPMSM under Si-IGBT and GaN-FET inverter excitations

著者名: 杉本 昂也(豊田工業大学),八尾 惇(富山県立大学),藤﨑 敬介(豊田工業大学)

著者名(英語): Takaya Sugimoto|Atsushi Yao|Keisuke Fujisaki

キーワード: GaN-FET|Si-IGBT|IPMSM|コア損, GaN-FET|Si-IGBT|IPMSM|core loss

PDFファイルサイズ: 637 Kバイト