MOSFETの寄生容量を考慮したE級発振器の解析と設計

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45666

グループ名: 【D】2019年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2019/08/20

タイトル(英語): Analysis and design of class-E oscillator with MOSFET parasitic capacitances

著者名: 海老原 史弥(千葉工業大学),魏 秀欽(千葉工業大学),関屋 大雄(千葉大学)

著者名(英語): Fumiya Ebihara|Xiuqin Wei|Hiroo Sekiya

キーワード: E級発振器|E級ZVS/ZDS条件|駆動回路|寄生容量, class-E oscillator|class-E ZVS/ZDS conditions|drive circuit|parasitic capacitances

PDFファイルサイズ: 493 Kバイト