半導体素子における逆回復特性を考慮した接合部温度の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45669

グループ名: 【D】2019年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2019/08/20

タイトル(英語): Study of junction temperature considering reverse recovery characteristics in semiconductor devices

著者名: 萩尾 悠樹(東芝三菱電機産業システム),瀬戸 誠(東芝三菱電機産業システム),米田 孝史(東芝三菱電機産業システム)

著者名(英語): Yuki Hagio|Makoto Seto|Takafumi Yoneda

キーワード: 逆回復特性|半導体|ターンオフ|スイッチング, reverse recovery characteristic|semiconductor|turn off|switching

PDFファイルサイズ: 525 Kバイト