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GaNデバイスを対象とした寄生インダクタンスによるスイッチング特性への影響評価

GaNデバイスを対象とした寄生インダクタンスによるスイッチング特性への影響評価

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-58

グループ名: 【D】2019年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2019/08/20

タイトル(英語): Influence of Stray Inductance on Switching Performance for GaN Power Devices

著者名: 髙原 貴昭(三菱電機),佐竹 彰(三菱電機),三井 晃司(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Takaaki Takahara|Akira Satake|Koji Mitsui|Keiji Wada

キーワード: 寄生インダクタンス|スイッチング特性|GaN, Stray inductance|Switching characteristics|Gallium nitride

PDFファイルサイズ: 577 Kバイト

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