高速SiC/GaNスイッチング回路のプロービング方式の比較

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-59

グループ名: 【D】2019年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2019/08/20

タイトル(英語): High voltage probing for dynamic characteristics measurement of SiC and GaN

著者名: 長浜 竜(岩崎通信機),高木 茂行(東京工科大学)

著者名(英語): Ryu Nagahama|Shigeyuki Takagi

キーワード: SiC、GaNデバイス|差動プローブ|動的特性|波形歪み, SiC GaN device|Probe|Dynamic Switching Response|Distortion

PDFファイルサイズ: 693 Kバイト