1.2 kV 30 kV/?s サージ電圧制御機能内蔵 SiC MOSFETゲートドライバ

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-60

グループ名: 【D】2019年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2019/08/20

タイトル(英語): A 1.2 kV 30 kV/us High Voltage Surge Peak Controlling Gate Driver for SiC MOSFETs

著者名: 山本 昌弘(デンソー),阿部 充庸(デンソー),秋山 博則(デンソー),丹羽 章雅(デンソー)

著者名(英語): Masahiro Yamamoto|Mitsuyasu Abe|Hironori Akiyama|Akimasa Niwa

キーワード: ゲートドライバ|サージ電圧|アクティブゲートコントロール|SiC MOSFET, gate driver|surge voltage|active gate control|SiC MOSFET

PDFファイルサイズ: 2,016 Kバイト