スイッチング条件下におけるMOSFETのゲート酸化膜TDDB試験

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-106

グループ名: 【D】2019年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2019/08/20

タイトル(英語): TDDB test of MOSFETs under the switching conditions

著者名: 林 真一郎(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Shin-Ichiro Hayashi|Keiji Wada

キーワード: ゲート酸化膜|TDDB試験|長期信頼性, Gate oxide|TDDB test|Long-term reliability

PDFファイルサイズ: 381 Kバイト