SiC-MOSFETを用いたブーストコンバータの動作特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-7

グループ名: 【D】2019年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2019/08/20

タイトル(英語): Steady-state characteristics of boost converter with SiC-MOSFET device

著者名: 松本 崚央(福岡大学),藤 清高(福岡大学),柴戸 洋次郎(福岡大学),根葉 保彦(福岡大学)

著者名(英語): Ryo Matsumoto|Kiyotaka Fuji|Yojiro Shibako|Yasuhiko Neba

キーワード: SiCデバイス|ブーストコンバータ|MOSFET|定常特性, SiC device|boost converter|MOSFET|steady-state characteristics

PDFファイルサイズ: 217 Kバイト