走査型プローブ顕微鏡によるパワー半導体素子内部構造の観測

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-34

グループ名: 【D】2019年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2019/08/20

タイトル(英語): Nanoscale observation of internal structure of power semiconductor device by scanning probe microscope

著者名: 土井 敦史(千葉工業大学),増田 翔(千葉工業大学),佐藤 宣夫(千葉工業大学),山本 秀和(千葉工業大学)

著者名(英語): Atsushi Doi|Sho Masuda|Nobuo Satoh|Hidekazu Yamamoto

キーワード: 走査型プローブ顕微鏡|走査型容量原子間力顕微鏡|パワー半導体デバイス, Scanning probe microscope|Scanning capacitance force microscope|Power semiconductor device

PDFファイルサイズ: 636 Kバイト