抵抗領域で動作するるMOSFETを用いた低ひずみOTA回路の一構成

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT05055

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子回路研究会

発行日: 2005/07/01

タイトル(英語): A Low Distortion OTA Circuit Using MOSFET Operating in the Triode Region

著者名: 佐藤広生 (東京理科大学 理工学部 電気電子情報工学科),兵庫 明(東京理科大学 理工学部 電気電子情報工学科),関根 慶太郎(東京理科大学 理工学部 電気電子情報工学科)

著者名(英語): Hiroki SATO(Faculty of Science and Technology,Tokyo University of Science E-mail:(hrs,hyogo,Sekine)@vlsi.ee.noda.sut.ac.jp),Akira HYOGO(Faculty of Science and Technology,Tokyo University of Science E-mail:(hrs,hyogo,Sekine)@vlsi.ee.noda.sut.ac.jp),Keitaro SEKINE(Faculty of Science and Technology,Tokyo University of Science E-mail:(hrs,hyogo,Sekine)@vlsi.ee.noda.sut.ac.jp)

キーワード: MOSアナログ回路|抵抗領域|OTA

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 672 Kバイト