弱反転領域で動作するMOSFETを用いた温度センサ回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT06002

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子回路研究会

発行日: 2006/01/26

タイトル(英語): Temperature Sensor using characteristic of MOSFET operating in weak inversion region

著者名: 板橋 洋介(中央大学),高窪 かをり(明治大学),高窪 統(中央大学)

著者名(英語): Yosuke Itabashi(Chuo University),Kawori Takakubo(Meiji University),Hajime Takakubo(Chuo University)

キーワード: CMOS|弱反転領域|温度センサ

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 597 Kバイト