FD-SOI CMOSデバイスを用いた低電圧動作低雑音増幅器の設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT06054

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子回路研究会

発行日: 2006/06/22

タイトル(英語): Design and implementation of a low-voltage FD-SOI CMOS low-noise amplifier

著者名: 木原 雄(大阪大学大学院工学研究科),金 奎哲(大阪大学大学院工学研究科),後藤克 (大阪大学大学院工学研究科),中村 圭志(大阪大学大学院工学研究科),清水 由幸(大阪大学大学院工学研究科),松岡 俊匤(大阪大学大学院工学研究科),谷口 研二(大阪大学大学院工学研究科)

著者名(英語): Takao Kihara(Graduate School of engineering,Osaka University),Guechol Kim(Graduate School of engineering,Osaka University),Masaru Goto(Graduate School of engineering,Osaka University),Keiji Nakamura(Graduate School of engineering,Osaka University),Yoshiyuki Shimizu(Graduate School of engineering,Osaka University),Toshimasa Matsuoka(Graduate School of engineering,Osaka University),Kenji Taniguchi(Graduate School of engineering,Osaka University)

キーワード: 低雑音増幅器|完全空乏型SOI CMOS|雑音|線形性|低電圧

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 875 Kバイト