MOSFETにおけるリーク電流低減に関する一考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT07090

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子回路研究会

発行日: 2007/12/07

タイトル(英語): A consideration of leakage current suppression MOSFET in off-state

著者名: 高窪 かをり(明治大学),江藤 徹(明治大学),高窪 統(中央大学)

著者名(英語): Kawori Takakubo(Meiji University),Toru Etou(Meiji University),Hajime Takakubo(Chuo University)

キーワード: オフ状態のMOSFET| 低リーク電流| 基板効果| 逆バイアスp-n接合

要約(日本語): オフ状態でのMOSFETのリーク電流は低電圧化において深刻な問題のひとつである。本手法ではソースに正の電圧を印加し、ソースと基板間に逆バイアスする。MOSFET中のp-n接合に印加する逆バイアス電圧を制御することで大幅にリーク電流を低減できる。0.8μｍ n-well CMOSプロセスによって製造されたMOSFETの特性を測定した。提案手法によって2.4pAのリーク電流を880fAに低減することができる。

要約(英語): Leakage current of MOSFET in off-state is one of the serious problems under low power supply voltage. A method that a positive voltage is applied to source to accomplish reverse bias between source and bulk is proposed. The proposed voltage control of rev

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 262 Kバイト