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GHz帯コルピッツ形発振回路の温度特性改善

GHz帯コルピッツ形発振回路の温度特性改善

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT07097

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2007/12/07

タイトル(英語): Temperature Characteristic Improvement of a Circuit for Colpitts-Type Oscillator for Gigahertz Frequency Band.

著者名: 王萬雄 (日本大学),浅野 恵太(日本大学),関根 好文(日本大学)

著者名(英語): Wan-Shyong Wang(Nihon University),Keita Asano(Nihon University),Yoshifumi Sekine(Nihon University)

キーワード: GHz帯|特性改善|水晶発振回路|コルピッツ形発振回路|負性抵抗|SAW|温度特性

要約(日本語): 水晶発振器は,高安定な信号発生源として利用されている。近年,情報通信機器の発展に伴い,GHz帯で発振可能な低位相雑音の水晶発振器が求められており,コルピッツ形水晶発振器の高周波化に対する要求が高まっている。コルピッツ形水晶発振器の高周波化を考えると,水晶の負荷容量を小さくする必要がある。また,トランジスタの内部容量は温度によって変化するため負性抵抗回路の温度特性が劣化するという問題があった。本論文は,まず,先に報告したGHz帯で発振に十分な負性抵抗が得られるコルピッツ形水晶発振回路について,その温度特性

要約(英語): Crystal oscillators are used as stable frequency generators. Recently, where with the development of telecommunication equipment, the oscillator of the low-phase noise that can oscillate in the Gigahertz(GHz) frequency band is requested, higher frequency

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 631 Kバイト

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