FD-SOIプロセスによる低域通過特性を有する低雑音広帯域増幅器の一構成

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT07109

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子回路研究会

発行日: 2007/12/08

タイトル(英語): Low-Noise Wide-Band Amplifier with Low Pass Characteristics in FD-SOI

著者名: 藤田 高史(東京工業大学),高木 茂孝(東京工業大学),藤井 信生(東京工業大学)

著者名(英語): Takashi Fujita(Tokyo Institute of Technology),Shigetaka Takagi(Tokyo Institute of Technology),Nobuo Fujii(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 低雑音増幅器|広帯域|低域通過特性|FD-SOI

要約(日本語): 本稿ではFD-SOIプロセスを用いた低域通過特性を有する低雑音広帯域増幅器を提案している。低域通過特性を採用することにより、信号通過帯域全体における主要な雑音源を初段のみに低減している。さらに、帯域通過特性を有する構成に対し、1つ少ないインダクタで広帯域増幅器を構成している。提案回路の特性をSpectreRFにより確認している。

要約(英語): This paper proposes a low-noise wide-band amplifier with low-pass characteristics in FD-SOI technology. By employing low-pass characteristics, effective noise sources to be considered for low-noise design become the 1st stage ones over the passband. Furth

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 339 Kバイト