トランスコンダクタンス及び動作範囲の変化に対応したバイアスオフセット型CMOSトランスコンダクタの線形性改善手法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT08021

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子回路研究会

発行日: 2008/03/26

タイトル(英語): A Method to Improve Linearity of a CMOS Bias-Offset Transconductor for Variable Transconductance and Operating Range

著者名: 宮澤 壽志大(防衛大学校),鐘ヶ江 和文(防衛大学校),松元 藤彦(防衛大学校),野口 泰明(防衛大学校)

著者名(英語): Toshio Miyazawa(National Defense Academy),Kazufumi Kanegae(National Defense Academy),Fujihiko Matsumoto(National Defense Academy),Yasuaki Noguchi(National Defense Academy)

キーワード: アナログ集積回路|トランスコンダクタ|線形回路|CMOS|移動度の低下|analog integrated circuits|transconductor|linear circuits|CMOS|mobility degradation

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 452 Kバイト