弱反転領域で動作するMOSFETを用いたPTAT回路の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT08037

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子回路研究会

発行日: 2008/03/27

タイトル(英語): PTAT Circuit using Characteristic of Subthreshold MOSFET

著者名: 田村 直人(中央大学),高窪 かをり(明治大学),高窪 統(中央大学)

著者名(英語): Naoto Tamura(Chuo University),Kawori Takakubo(Meiji University),Hajime Takakubo(Chuo University)

キーワード: PTAT|弱反転領域|スマート温度センサ|CMOS|PTAT|subthreshold MOSFET|smart temperature sensor|CMOS

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 715 Kバイト