1
/
の
1
ディープサブミクロンプロセスを用いた高電圧インタフェース回路の一構成
ディープサブミクロンプロセスを用いた高電圧インタフェース回路の一構成
通常価格
¥330 JPY
通常価格
セール価格
¥330 JPY
単価
/
あたり
税込
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: ECT08057
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会
発行日: 2008/06/13
タイトル(英語): High voltage interface circuit in deep submicron process
著者名: ニコデムス・レディアン (東京工業大学),島崎 直樹(東京工業大学),高木 茂孝(東京工業大学),藤井 信生(東京工業大学)
著者名(英語): Nicodimus Retdian(Tokyo Institute of Technology),Naoki Shimasaki(Tokyo Institute of Technology),Shigetaka Takagi(Tokyo Institute of Technology),Nobuo Fujii(Tokyo Institute of Technology)
キーワード: 高電圧インターフェース|ディープサブミクロンプロセス|レギュレーティッド・カスコード|フリップト電圧フォロワ|high voltage interface|deep submicron process|regulated cascode|flipped voltage follower
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 557 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
