MOSFETのしきい値電圧の温度依存性を利用した温度補償電流源回路とその応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT08064

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子回路研究会

発行日: 2008/10/23

タイトル(英語): A Temperature-Compensated Current Source Circuit Using Temperature Dependence of Threshold Voltage in MOSFET and Its Application

著者名: 中島規成 (九州工業大学),森江 隆(九州工業大学)

著者名(英語): Norishige Nakashima(Kyushu Institute of Technology),Takashi Morie(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: CMOS|電流源回路|温度補償|ランプ電圧発生回路|CMOS|current source circuit|temperature-compensated|ramp-voltage generator circuit

要約(日本語): MOSFETのしきい値電圧の温度依存性を利用した温度補償電流源回路を提案する．提案する温度補償回路は，2つのMOSFETのみで構成されているので，非常に小さなレイアウト面積ですみ，極低消費電力である．TSMC 0.25um CMOSプロセスにより，提案した温度補償回路を組み込んだランプ電圧発生回路を設計し，その温度特性を試作回路によって評価した．電流源回路の温度係数は，-40℃から85℃までの温度範囲で，212±51.4ppm/℃であった．

要約(英語): We propose a temperature-compensated current source circuit using the temperature dependence of the threshold voltage in a MOSFET. Since our temperature-compensated circuit consists of only two MOSFETs, it occupies very small layout area and consumes ver

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 534 Kバイト