ニューロンMOSカレントミラーに組み込むトランスレジスタンスアンプの提案

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT08066

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子回路研究会

発行日: 2008/10/23

タイトル(英語): A Transresistance Amplifier for a Neuron MOS Current Mirror

著者名: 清水 暁生(佐賀大学),石川 洋平(有明工業高等専門学校),深井 澄夫(佐賀大学)

著者名(英語): Akio Shimizu(Saga University),Yohei Ishikawa(Ariake National College of Technology),Sumio Fukai(Saga University)

キーワード: ニューロンMOS|トランスレジスタンスアンプ|カレントミラー|neuron MOS|transresistance amplifier|current mirror

要約(日本語): 近年，微細加工技術の進歩によりCMOS集積回路は，集積度が向上し高機能化・多機能化が進んでいる。しかし，微細加工によってMOS-FETチャネル長が短くなると二次的効果の影響が顕著に現れるようになり，アナログ集積回路においては所望の動作を得ることが困難である。また，微細化によるMOS-FETの耐圧低下に伴い低電源電圧化が進んでいる。そのため，低電圧でも動作可能なアナログ回路が必要である。アナログ集積回路の重要な要素回路にカレントミラー回路がある。カレントミラー回路は基準の電流をコピーして所望の電流を出力する

要約(英語): A transresistance amplifier for a neuron MOS current mirror is presented. Current copy accuracy of the neuron MOS current mirror depend on the transresistance amplifier. In this paper, it is shown that the resistance of the transresistance amplifier shoul

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 381 Kバイト