ＢＪＴのパイプの生因と対策　－結晶内応力と増速拡散－

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT08073

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子回路研究会

発行日: 2008/10/23

タイトル(英語): The cause of Pipe formation generated in BJT and countermeasures -Stress in crystal and enhanced diffusion-

著者名: 野依 一正(北九州産業学術推進機構)

著者名(英語): Kazumasa Noyori(FAIS)

キーワード: ボロン|点欠陥|応力|増速拡散|界面|凹凸|boron|point defect|stress|enhanced diffusion|interface|concavo-convex

要約(日本語): 前稿ECT-08-072の実験で通常ありえない150℃での半導体バルク内の非可逆変化に遭遇した。その実験結果を核磁気共鳴スペクトルの観測結果などを参考に考察し、ＢＪＴ内で生じているパイプがボロン･格子間シリコンペア点欠陥の高率発生による応力集中の結果生じた線状欠陥と膨張応力集中場における収縮応力源リンの増速拡散の結果、発生しているものだとの結論を得た。パイプの生因を明らかにし、その対策を提案する。

要約(英語): When the ratio of the active boron and the point defect takes abnormal value after the boron ion implantation, a concentrated area of the expansion stress is generated in the silicon crystal. And when phosphorus with the shrinkage stress is doped into th

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 867 Kバイト