LDOを用いた RF CMOS LC-VCO の電流源雑音抑圧法の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT08080

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子回路研究会

発行日: 2008/10/24

タイトル(英語): Technique of noise suppression from current-source of RF PMOSLC-VCO by using LDO

著者名: 長谷川 賀則(群馬大学),高井 伸和(群馬大学)

著者名(英語): Hasegawa,Yshinori|Takai,Nobukazu

キーワード: CMOS|電圧制御発振回路(VCO)|LDOレギュレータ|位相雑音|電源プッシング特性|CMOS|Voltage-controlled oscillator|Low-drop out regulator|Phase Noise|Supply pushing

要約(日本語): この論文は12GHz発振, 1MHzオフセット位相雑音-111dBc/Hz, 電源プッシング特性0.068MHz/0.1V, 周波数範囲2GHzのRF PMOS LC-VCOを提案する。LDOのフィードバック特性を用いて低位相雑音特性、低電源プッシング特性を実現している。LDOのフィードバック特性は電流源からの雑音を改善するだけでなく、電源プッシング特性も抑圧できる。広い周波数範囲はバラクタと4bitスイッチを用いて実現される。65nmCMOSプロセスでのシミュレーションより発振周波数は9.68GHzから

要約(英語): In this paper, 12GHz, -111dBc/Hz, 0.068MHz/0.1V, 2GHz tuning range RF PMOS LC-VCO is proposed.Low phase-noise characteristic as well as low supply pushing characteristic are realized by utilizing feature of LDO.The feature of feedback loop of LDO improves

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 440 Kバイト