5GHz帯電力増幅回路の一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT08081

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子回路研究会

発行日: 2008/10/24

タイトル(英語): On a Design of 5GHz Power Amplifier with Fine MOS Process

著者名: 福田 晃一(九州工業大学),大野 拓也(九州工業大学),武藤浩二 (九州工業大学)

著者名(英語): Kouichi Fukuda(Kyusyu Institute of Technology),Takuya Ohno(Kyusyu Institute of Technology),Cosy Muto(Kyusyu Institute of Technology)

キーワード: PA|MOSトランジスタ|RF|歪|ドレイン効率|PA|MOS transistor|RF|distortion|drain efficiency

要約(日本語): MOSトランジスタの二乗特性を考慮したA級及びAB級PAの歪及びA級動作時の最大ドレイン効率を導出し，設計条件を明らかにし，その後実際のデバイスモデルを用いて5[GHz],100[mW]級，A級動作プッシュプルアンプを設計し過渡解析を行った．その結果，線形最大出力19.29[dBm]，1dB抑圧出力20[dBm]を得た．

要約(英語): In recent years, RF power amplifiers in standard MOS process are designed.In this paper, we report design considerations for MOS RF power amplifier.At first, we analyze class-A and AB amplifiers based on square-low characteristics and derive their distort

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 382 Kバイト