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NMOSの非線形特性をPMOSで補償し入出力範囲を向上させた高周波電力増幅回路

NMOSの非線形特性をPMOSで補償し入出力範囲を向上させた高周波電力増幅回路

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT09058

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2009/06/11

タイトル(英語): Linearity Compensation of CMOS RF Power Amplifier for Wider Input and Output Voltage Range

著者名: 新井 知広(東京理科大学大学院),佐藤広生 (東京理科大学大学院),兵庫 明(東京理科大学大学院),関根 慶太郎(東京理科大学大学院)

著者名(英語): Chihiro Arai(Tokyo University of Science),Hiroki Sato(Tokyo University of Science),Akira Hyogo(Tokyo University of Science),Keitaro Sekine(Tokyo University of Science)

キーワード: CMOS|電力増幅回路|歪み|ソース接地|UWB|CMOS|power amplifier|distortion|common-source|UWB

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 524 Kバイト

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