弱反転領域動作と移動度の低下の影響を考慮した線形トランスコンダクタの設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT09064

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子回路研究会

発行日: 2009/06/12

タイトル(英語): A Design of a Linear Transconductor Considering Effects of Weak Inversion Region and Mobility Degradation

著者名: 宮澤 壽志大(防衛大学校),プラウィット･トンプーン (防衛大学校),松元 藤彦(防衛大学校),中村 晋太朗(防衛大学校),野口 泰明(防衛大学校)

著者名(英語): Toshio Miyazawa(National Defense Academy),Pravit Tongpoon(National Defense Academy),Fujihiko Matsumoto(National Defense Academy),Shintaro Nakamura(National Defense Academy),Yasuaki Noguchi(National Defense Academy)

キーワード: CMOS|アナログ集積回路|トランスコンダクタ|線形回路|CMOS|Analog Integrated Circuits|Transconductors|Linear Circuits

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 450 Kバイト