MOSFETを用いた製造ばらつきの影響を受けにくい全波整流回路の構成に関する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT09092

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子回路研究会

発行日: 2009/10/29

タイトル(英語): A Full-Wave Rectifier Circuit Using MOSFET with a Smaller Characteristics Deviation by CMOS Process Fluctuations

著者名: 石橋 幹大(東京理科大学大学院),兵庫 明(東京理科大学大学院),関根 慶太郎(東京理科大学大学院),佐藤広生 (東京工業大学大学院)

著者名(英語): Tomohiro Ishibashi(Tokyo University of Science),Akira Hyogo(Tokyo University of Science),Keitaro Sekine(Tokyo University of Science),Hiroki Sato(Graduate School of Science and Engineering,Tokyo Institute of Technology)

キーワード: CMOS|二乗回路|CMOSプロセスパラメータ変動|CMOS|squaring circuit|CMOS process parameter deviation

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 549 Kバイト